БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQI4N80TUMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 3.9A (Tc) | 10V | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V | 5V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±30V | 880 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 130W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
HUFA75337S3SMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 109 nC @ 20 V | ±20V | 1775 pF @ 25 V | - | 175W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
HUFA75637S3SMOSFET N-CH 100V 44A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 44A (Tc) | 10V | 30mOhm @ 44A, 10V | 4V @ 250µA | 108 nC @ 20 V | ±20V | 1700 pF @ 25 V | - | 155W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
HUFA76437S3SMOSFET N-CH 60V 71A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 71A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 71A, 10V | 3V @ 250µA | 71 nC @ 10 V | ±16V | 2230 pF @ 25 V | - | 155W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FQP12N60MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10.5A (Tc) | 10V | 700mOhm @ 5.3A, 10V | 5V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±30V | 1900 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FQB12N50TM_AM002MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12.1A (Tc) | 10V | 490mOhm @ 6.05A, 10V | 5V @ 250µA | 51 nC @ 10 V | ±30V | 2020 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 179W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
HUF75939P3MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 22A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 152 nC @ 20 V | ±20V | 2200 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQN1N50CTAMOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3 onsemi |
19 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 380mA (Tc) | 10V | 6Ohm @ 190mA, 10V | 4V @ 250µA | 6.4 nC @ 10 V | ±30V | 195 pF @ 25 V | - | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
FDD6680ASMOSFET N-CH 30V 55A TO252 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench®, SyncFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 55A (Ta) | 4.5V, 10V | 10.5mOhm @ 12.5A, 10V | 3V @ 1mA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 15 V | - | 60W (Ta) | -55°C ~ 155°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
|
RFD10P03LSMMOSFET P-CH 30V 10A TO252-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Tc) | - | 200mOhm @ 10A, 5V | 2V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | - | 1035 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
