БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQI5N60CTUMOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4.5A (Tc) | 10V | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±30V | 670 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
FQPF9N50CYDTUMOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1030 pF @ 25 V | - | 44W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 (Y-Forming) |
|
HUF76633P3MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 39A (Tc) | 4.5V, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V | 3V @ 250µA | 67 nC @ 10 V | ±16V | 1820 pF @ 25 V | - | 145W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
NVATS5A108PLZT4GMOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 77A (Ta) | 4.5V, 10V | 10.4mOhm @ 35A, 10V | 2.6V @ 1mA | 79.5 nC @ 10 V | ±20V | 3850 pF @ 20 V | - | 72W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | ATPAK |
|
|
HUFA76432P3MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 59A (Tc) | 4.5V, 10V | 17mOhm @ 59A, 10V | 3V @ 250µA | 53 nC @ 10 V | ±16V | 1765 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
HUF76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 39A (Tc) | 4.5V, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V | 3V @ 250µA | 67 nC @ 10 V | ±16V | 1820 pF @ 25 V | - | 145W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FDB4020PMOSFET P-CH 20V 16A TO263AB onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 16A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 80mOhm @ 8A, 4.5V | 1V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±8V | 665 pF @ 10 V | - | 37.5W (Tc) | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
FQP15P12MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 15A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1100 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQP44N08MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 44A (Tc) | 10V | 34mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±25V | 1430 pF @ 25 V | - | 127W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
NDS9405MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.3A (Ta) | 4.5V, 10V | 100mOhm @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1425 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
