БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTD78N03R-1GN-CHANNEL POWER MOSFET onsemi |
4,050 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTB65N02RT4GMOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 7.6A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.2mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 9.5 nC @ 4.5 V | ±20V | 1330 pF @ 20 V | - | 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
2SJ637-EPCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
3,960 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
2SJ645-TL-EMOSFET P-CH onsemi |
3,500 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
ECH8607-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET onsemi |
3,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTDV20N06LT4GMOSFET N-CH 60V 20A DPAK onsemi |
0 | - |
|
- |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 20A (Ta) | 5V | 48mOhm @ 10A, 5V | 2V @ 250µA | 32 nC @ 5 V | ±15V | 990 pF @ 25 V | - | 1.36W (Ta), 60W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
NTD6600N-1GMOSFET N-CH 100V 12A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 12A (Ta) | 5V | 146mOhm @ 6A, 5V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
NTD40N03R-001MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 7.8A (Ta), 32A (Tc) | 4.5V, 10V | 16.5mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 5.78 nC @ 4.5 V | ±20V | 584 pF @ 20 V | - | 1.5W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
SCH1601-A-TL-WMOSFET N-CH 16V SC28 onsemi |
0 | - |
|
- |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTLGF3501NT2GMOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 6-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.8A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 90mOhm @ 3.4A, 4.5V | 2V @ 250µA | 10 nC @ 4.5 V | ±12V | 275 pF @ 10 V | - | 1.14W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-DFN (3x3) |
