БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002LT7GMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi |
44,142 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 115mA (Tc) | 5V, 10V | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250µA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 225mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
|
2SJ615-TD-EPCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
44,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NVD4808NT4GNVD4808 - POWER MOSFET 30V 63A 8 onsemi |
24,748 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta), 63A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 8mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1538 pF @ 12 V | - | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
NTD4808NT4GMOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta), 63A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 8mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1538 pF @ 12 V | - | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
NTHS5402T1MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 4.9A (Ta) | 4.5V, 10V | 35mOhm @ 4.9A, 10V | 1V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | ChipFET™ |
|
NTD4906N-1GMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10.3A (Ta), 54A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1932 pF @ 15 V | - | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NTD4858NA-35GMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 11.2A (Ta), 73A (Tc) | - | 6.2mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 19.2 nC @ 4.5 V | - | 1563 pF @ 12 V | - | 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
2SK3980-TD-EN-CHANNEL MOSFET onsemi |
12,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTD3813N-35GMOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 16 V | 9.6A (Ta), 51A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.75mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.8 nC @ 4.5 V | ±16V | 963 pF @ 12 V | - | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
NTD3813N-1GMOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 16 V | 9.6A (Ta), 51A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.75mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 12.8 nC @ 4.5 V | ±16V | 963 pF @ 12 V | - | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
