БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSC020SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 20 MOHM DIE Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
MSC045SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 45 MOHM DIE Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
MSC025SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 25 MOHM TO-247- Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 104A | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
MSC025SMA120SCT/RMOSFET SIC 1200 V 25 MOHM PSMT Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 108A (Tc) | 18V, 20V | 31mOhm @ 40A, 20V | 3V @ 3mA | 232 nC @ 20 V | +23V, -10V | 3633 pF @ 1000 V | - | 524W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
|
|
MSC030SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 30 MOHM DIE Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
MSC400SMA330B4NMOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 11A (Tc) | 20V | 520mOhm @ 5A, 20V | 2.97V @ 1mA | 37 nC @ 20 V | +23V, -10V | 579 pF @ 2.4 kV | - | 131W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
MSC011SMC120D/SMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
MSC011SMB120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 11 MOHM, 7LD T Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
MSC080SMB120D/SMOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIE Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
MSC040SMA120SDT/RMOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 68A (Tc) | 18V, 20V | 50mOhm @ 40A, 20V | 2.7V @ 2mA | 137 nC @ 20 V | +23V, -10V | 1962 pF @ 1000 V | - | 338W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
