БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT20M11JLLMOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 176A (Tc) | - | 11mOhm @ 88A, 10V | 5V @ 5mA | 180 nC @ 10 V | - | 10320 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APTM120DA30T1GMOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SP1 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 2.5mA | 560 nC @ 10 V | ±30V | 14560 pF @ 25 V | - | 657W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP1 |
|
APTC60SKM24T1GMOSFET N-CH 600V 95A SP1 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | SP1 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 95A (Tc) | 10V | 24mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 14400 pF @ 25 V | - | 462W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP1 |
|
APT30M19JVRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 130A (Tc) | 10V | 19mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 975 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT10026L2FLLGMOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 38A (Tc) | - | 260mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 5mA | 267 nC @ 10 V | - | 7114 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | 264 MAX™ [L2] |
|
|
APT20M11JFLLMOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 176A (Tc) | - | 11mOhm @ 88A, 10V | 5V @ 5mA | 180 nC @ 10 V | - | 10320 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT8015JVRMOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 44A (Tc) | - | 150mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 285 nC @ 10 V | - | 17650 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT20M11JVFRMOSFET N-CH 200V 175A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 175A (Tc) | 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 180 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT60M75JVRMOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 62A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 1050 nC @ 10 V | ±30V | 19800 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 130A (Tc) | 10V | 19mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 975 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
