БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT4014BVFRGMOSFET N-CH 400V 28A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 28A (Tc) | - | 140mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 160 nC @ 10 V | - | 3600 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
APT17F100SMOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 17A (Tc) | 10V | 780mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 4845 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
APT43F60B2MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 45A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 2.5mA | 215 nC @ 10 V | ±30V | 8590 pF @ 25 V | - | 780W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT5016BLLGMOSFET N-CH 500V 30A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | 10V | 160mOhm @ 15A, 10V | 5V @ 1mA | 72 nC @ 10 V | ±30V | 2833 pF @ 25 V | - | 329W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT42F50SMOSFET N-CH 500V 42A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 42A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 1mA | 170 nC @ 10 V | ±30V | 6810 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT5018SLLGMOSFET N-CH 500V 27A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 27A (Tc) | - | 180mOhm @ 13.5A, 10V | 5V @ 1mA | 58 nC @ 10 V | - | 2596 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT56M50B2MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 56A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 220 nC @ 10 V | ±30V | 8800 pF @ 25 V | - | 780W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ |
|
|
APT6038SLLGMOSFET N-CH 600V 17A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 17A (Tc) | - | 380mOhm @ 8.5A, 10V | 5V @ 1mA | 43 nC @ 10 V | - | 1850 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT5018SFLLGMOSFET N-CH 500V 27A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 27A (Tc) | - | 180mOhm @ 13.5A, 10V | 5V @ 1mA | 58 nC @ 10 V | - | 2596 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT5018SLLG/TRMOSFET N-CH 500V 27A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 27A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 13.5A, 10V | 5V @ 1mA | 58 nC @ 10 V | ±30V | 2596 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
