БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3709PBFIRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 90A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 41 nC @ 5 V | ±20V | 2672 pF @ 16 V | - | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
IRFH7440TRPBFIRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 85A (Tc) | 6V, 10V | 2.4mOhm @ 50A, 10V | 3.9V @ 100µA | 138 nC @ 10 V | ±20V | 4574 pF @ 25 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
IRF6722MTRPBFMOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MP | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta), 56A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.7mOhm @ 13A, 10V | 2.4V @ 50µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1300 pF @ 15 V | - | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MP |
|
AUIRF6218SAUIRF6218 - 20V-150V P-CHANNEL A International Rectifier |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 27A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
