БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
;;3.jpg)
|
AUIRFU3607MOSFET N CH 75V 56A I-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 56A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 46A, 10V | 4V @ 100µA | 84 nC @ 10 V | ±20V | 3070 pF @ 50 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
IRF7748L1TRPBFMOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | DirectFET™ Isometric L6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 28A (Ta), 148A (Tc) | 10V | 2.2mOhm @ 89A, 10V | 4V @ 250µA | 220 nC @ 10 V | ±20V | 8075 pF @ 50 V | - | 3.3W (Ta), 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET L6 |
|
AUIRFS8408-7TRRMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 10V | 1mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 315 nC @ 10 V | ±20V | 10250 pF @ 25 V | - | 294W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7-900 |
|
|
AUIRFS8405TRLMOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 nC @ 10 V | ±20V | 5193 pF @ 25 V | - | 163W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
AUIRFSL8405MOSFET N-CH 40V 120A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 nC @ 10 V | ±20V | 5193 pF @ 25 V | - | 163W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
AUIRFU8403MOSFET N-CH 40V 100A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 3.1mOhm @ 76A, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 nC @ 10 V | ±20V | 3171 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
AUIRFS8403MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 123A (Tc) | 10V | 3.3mOhm @ 70A, 10V | 3.9V @ 100µA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 3183 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
AUIRFSL8403MOSFET N-CH 40V 123A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 123A (Tc) | 10V | 3.3mOhm @ 70A, 10V | 3.9V @ 100µA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 3183 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
AUIRFS8405MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 nC @ 10 V | ±20V | 5193 pF @ 25 V | - | 163W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
AUIRFS8407MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1.8mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 150µA | 225 nC @ 10 V | ±20V | 7330 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
