БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB60R099C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3 Infineon Technologies |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ C7 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 22A (Tc) | 10V | 99mOhm @ 9.7A, 10V | 4V @ 490µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1819 pF @ 400 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IPL60R085P7AUMA1MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON Infineon Technologies |
238 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 39A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 11.8A, 10V | 4V @ 590µA | 51 nC @ 10 V | ±20V | 2180 pF @ 400 V | - | 154W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL60R104C7AUMA1MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON Infineon Technologies |
8,897 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ C7 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 104mOhm @ 9.7A, 10V | 4V @ 490µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1819 pF @ 400 V | - | 122W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
IPTG063N15NM5ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
1,774 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerSMD, Gull Wing | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 16.2A (Ta), 122A (Tc) | 8V, 10V | 6.3mOhm @ 50A, 10V | 4.6V @ 163µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 4800 pF @ 75 V | - | 3.8W (Ta), 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOG-8 |
|
AUIRFP4110MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC Infineon Technologies |
340 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 10V | 4.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 9620 pF @ 50 V | - | 370W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
|
IPW60R125C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Infineon Technologies |
272 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 14.5A, 10V | 3.5V @ 960µA | 96 nC @ 10 V | ±20V | 2127 pF @ 100 V | - | 219W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPB65R099CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 Infineon Technologies |
884 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CFD7A | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 24A (Tc) | 10V | 99mOhm @ 12.5A, 10V | 4.5V @ 630µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 2513 pF @ 400 V | - | 127W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
IPL65R095CFD7AUMA1COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Infineon Technologies |
2,970 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 29A (Tc) | 10V | 95mOhm @ 12.5A, 10V | 4.5V @ 630µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 2513 pF @ 400 V | - | 171W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPTC063N15NM5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFET Infineon Technologies |
1,800 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 16.2A (Ta), 122A (Tc) | 8V, 10V | 6.3mOhm @ 50A, 10V | 4.6V @ 163µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 4800 pF @ 75 V | - | 3.8W (Ta), 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-2 |
|
IPP60R070CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Infineon Technologies |
700 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CFD7 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 31A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 15.1A, 10V | 4.5V @ 760µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 2721 pF @ 400 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
