БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3315STRLPBFMOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 21A (Tc) | 10V | 82mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRFS17N20DTRLPMOSFET N-CH 200V 16A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 16A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 9.8A, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±30V | 1100 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRF5806TRPBFMOSFET P-CH 20V 4A MICRO6 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 86mOhm @ 4A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 11.4 nC @ 4.5 V | ±20V | 594 pF @ 15 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro6™(TSOP-6) |
|
|
IRFS33N15DTRLPMOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 33A (Tc) | 10V | 56mOhm @ 20A, 10V | 5.5V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±30V | 2020 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRLL2703TRPBFMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3.9A (Ta) | 4V, 10V | 45mOhm @ 3.9A, 10V | 2.4V @ 250µA | 14 nC @ 5 V | ±16V | 530 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
|
|
IRL3716STRLPBFMOSFET N-CH 20V 180A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 180A (Tc) | 4.5V, 10V | 4mOhm @ 90A, 10V | 3V @ 250µA | 79 nC @ 4.5 V | ±20V | 5090 pF @ 10 V | - | 210W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRLR014NTRPBFMOSFET N-CH 55V 10A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 10A (Tc) | 4.5V, 10V | 140mOhm @ 6A, 10V | 1V @ 250µA | 7.9 nC @ 5 V | ±16V | 265 pF @ 25 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3911TRPBFMOSFET N-CH 100V 14A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 14A (Tc) | 10V | 115mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF @ 25 V | - | 56W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR024ZTRLPBFMOSFET N-CH 55V 16A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 16A (Tc) | 4.5V, 10V | 58mOhm @ 9.6A, 10V | 3V @ 250µA | 9.9 nC @ 5 V | ±16V | 380 pF @ 25 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFS41N15DTRLPMOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 41A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 25A, 10V | 5.5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2520 pF @ 25 V | - | 3.1W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
