БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR024NTRRPBFMOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A (Tc) | 4V, 10V | 65mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 15 nC @ 5 V | ±16V | 480 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRL3713STRRPBFMOSFET N-CH 30V 260A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 260A (Tc) | 4.5V, 10V | 3mOhm @ 38A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 nC @ 4.5 V | ±20V | 5890 pF @ 15 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRFR120ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 8.7A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 5.2A, 10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 310 pF @ 25 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR9343TRLPBFMOSFET P-CH 55V 20A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 105mOhm @ 3.4A, 10V | 1V @ 250µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 660 pF @ 50 V | - | 79W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRF3808STRRPBFMOSFET N-CH 75V 106A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 106A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 82A, 10V | 4V @ 250µA | 220 nC @ 10 V | ±20V | 5310 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRLR7807ZTRRPBFMOSFET N-CH 30V 43A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 43A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.8mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±20V | 780 pF @ 15 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7807ZTRLPBFMOSFET N-CH 30V 43A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 43A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.8mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±20V | 780 pF @ 15 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRF2804STRRPBFMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 2mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6450 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRLR4343TRRPBFMOSFET N-CH 55V 26A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 26A (Tc) | 4.5V, 10V | 50mOhm @ 4.7A, 10V | 1V @ 250µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF @ 50 V | - | 79W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFS4310TRRPBFMOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 130A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 250 nC @ 10 V | ±20V | 7670 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
