БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP050N06N GMOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 100A (Tc) | 10V | 5mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 270µA | 167 nC @ 10 V | ±20V | 6100 pF @ 30 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IPP05N03LB GMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.3mOhm @ 60A, 10V | 2V @ 40µA | 25 nC @ 5 V | ±20V | 3209 pF @ 15 V | - | 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPP065N06LGAKSA1MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 180µA | 157 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 30 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPP07N03LB GMOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.6mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 40µA | 25 nC @ 5 V | ±20V | 2782 pF @ 15 V | - | 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IPP091N06N GMOSFET N-CHAN TO-220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | - | 9.1mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 130µA | 81 nC @ 10 V | - | 2800 pF @ 30 V | - | - | - | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IPP100N06S3-03MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 100A (Tc) | 10V | 3.3mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 230µA | 480 nC @ 10 V | ±20V | 21620 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPP100N06S3-04MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 100A (Tc) | 10V | 4.4mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 150µA | 314 nC @ 10 V | ±20V | 14230 pF @ 25 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPP100N06S3L-03MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 100A (Tc) | 5V, 10V | 3mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 230µA | 550 nC @ 10 V | ±16V | 26240 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPP100N06S3L-04MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 100A (Tc) | 5V, 10V | 3.8mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 150µA | 362 nC @ 10 V | ±16V | 17270 pF @ 25 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPP10N03LB GMOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.9mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 20µA | 13 nC @ 5 V | ±20V | 1639 pF @ 15 V | - | 58W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
