БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7460TRPBFMOSFET N-CH 20V 12A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 12A (Ta) | 4.5V, 10V | 10mOhm @ 12A, 10V | 3V @ 250µA | 19 nC @ 4.5 V | ±20V | 2050 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7453TRPBFMOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 2.2A (Ta) | 10V | 230mOhm @ 1.3A, 10V | 5.5V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 930 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7433TRPBFMOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 8.9A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 24mOhm @ 8.7A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 20 nC @ 4.5 V | ±8V | 1877 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7457TRPBFMOSFET N-CH 20V 15A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 15A (Ta) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 42 nC @ 4.5 V | ±20V | 3100 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7207TRPBFMOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.4A (Tc) | 2.7V, 4.5V | 60mOhm @ 5.4A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 22 nC @ 4.5 V | ±12V | 780 pF @ 15 V | - | 2.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
;;3.jpg)
|
IRFU120ZPBFMOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 8.7A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 5.2A, 10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 310 pF @ 25 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
IRLU4343PBFMOSFET N-CH 55V 26A I-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 26A (Tc) | 4.5V, 10V | 50mOhm @ 4.7A, 10V | 1V @ 250µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF @ 50 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
IRFU3504ZPBFMOSFET N-CH 40V 42A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 42A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1510 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
|
IRFU2905ZPBFMOSFET N-CH 55V 42A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | 10V | 14.5mOhm @ 36A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 1380 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
|
IRFU12N25DPBFMOSFET N-CH 250V 14A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 8.4A, 10V | 5V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 810 pF @ 25 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
