БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLL2703PBFMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3.9A (Ta) | 4V, 10V | 45mOhm @ 3.9A, 10V | 2.4V @ 250µA | 14 nC @ 5 V | ±16V | 530 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
|
IRF3707ZSPBFMOSFET N-CH 30V 59A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 59A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.5mOhm @ 21A, 10V | 2.25V @ 25µA | 15 nC @ 4.5 V | ±20V | 1210 pF @ 15 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRL2203NSPBFMOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 116A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 60A, 10V | 3V @ 250µA | 60 nC @ 4.5 V | ±16V | 3290 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 180W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRL1104SPBFMOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 104A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 62A, 10V | 1V @ 250µA | 68 nC @ 4.5 V | ±16V | 3445 pF @ 25 V | - | 2.4W (Ta), 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRFB42N20DPBFMOSFET N-CH 200V 44A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 44A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 26A, 10V | 5.5V @ 250µA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 3430 pF @ 25 V | - | 2.4W (Ta), 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
;;3.jpg)
|
IRFU3412PBFMOSFET N-CH 100V 48A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 48A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 29A, 10V | 5.5V @ 250µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 3430 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
IRFR9N20DPBFMOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.4A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5.6A, 10V | 5.5V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±30V | 560 pF @ 25 V | - | 86W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRLU8203PBFMOSFET N-CH 30V 110A I-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 110A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.8mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 2430 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
IRFR3412PBFMOSFET N-CH 100V 48A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 48A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 29A, 10V | 5.5V @ 250µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 3430 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFU2405PBFMOSFET N-CH 55V 56A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 56A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2430 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
