БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7322D1TRMOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.3A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 62mOhm @ 2.9A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 29 nC @ 4.5 V | ±12V | 780 pF @ 15 V | Schottky Diode (Isolated) | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7324D1TRMOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.2A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 7.8 nC @ 4.5 V | ±12V | 260 pF @ 15 V | Schottky Diode (Isolated) | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7402TRMOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 6.8A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 35mOhm @ 4.1A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 22 nC @ 4.5 V | ±12V | 650 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7452TRMOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 4.5A (Ta) | 10V | 60mOhm @ 2.7A, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±30V | 930 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7463TRMOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta) | 2.7V, 10V | 8mOhm @ 14A, 10V | 2V @ 250µA | 51 nC @ 4.5 V | ±12V | 3150 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7466TRMOSFET N-CH 30V 11A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 12.5mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 23 nC @ 4.5 V | ±20V | 2100 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7467TRMOSFET N-CH 30V 11A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 2.8V, 10V | 12mOhm @ 11A, 10V | 2V @ 250µA | 32 nC @ 4.5 V | ±12V | 2530 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRF9520NSTRLMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 6.8A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRF9Z24NSTRRMOSFET P-CH 55V 12A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 12A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRF9Z34NSTRRMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 19A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 620 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
