БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC037N08NS5TATMA1MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 22A (Ta), 100A (Tc) | 6V, 10V | 3.7mOhm @ 50A, 10V | 3.8V @ 72µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 4200 pF @ 40 V | - | 3W (Ta), 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-7 |
.jpg)
|
AUIRFS3004-7TRLMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 10V | 1.25mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9130 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
BSC032N03SGMOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 23A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.2mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 70µA | 39 nC @ 5 V | ±20V | 5080 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
|
IRFS7734TRL7PPMOSFET N-CH 75V 197A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 197A (Tc) | 6V, 10V | 3.05mOhm @ 100A, 10V | 3.7V @ 150µA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 10130 pF @ 25 V | - | 294W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7 |
|
IRF7171MTRPBFMOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FASTIRFET™, HEXFET® | DirectFET™ Isometric MN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 15A (Ta), 93A (Tc) | 10V | 6.5mOhm @ 56A, 10V | 3.6V @ 150µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 2160 pF @ 50 V | - | 2.8W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MN |
|
AUIRLS3034-7TRLMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.4mOhm @ 200A, 10V | 2.5V @ 250µA | 180 nC @ 4.5 V | ±20V | 10990 pF @ 40 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
IPB072N15N3GE8187ATMA1MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 100A (Tc) | 8V, 10V | 7.2mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 270µA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 5470 pF @ 75 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
SPW20N60S5FKSA1MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 13A, 10V | 5.5V @ 1mA | 103 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
IRFH5004TR2PBFMOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 28A (Ta), 100A (Tc) | - | 2.6mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 150µA | 110 nC @ 10 V | - | 4490 pF @ 20 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
IRLH5030TR2PBFMOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 13A (Ta), 100A (Tc) | - | 9mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 150µA | 94 nC @ 10 V | - | 5185 pF @ 50 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | PQFN (5x6) Single Die |
