БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GS-065-011-6-LR-TRGS-065-011-6-LR-TR Infineon Technologies Canada Inc. |
0 | - |
|
- |
- | 8-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 700 V | 12.2A (Tc) | 6V | 180mOhm @ 3.2A, 6V | 2.6V @ 2.4mA | 2.2 nC @ 6 V | +7V, -10V | 70 pF @ 400 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PDFN (8x8) |
|
IRF7483MTRPBFMOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
StrongIRFET™ | DirectFET™ Isometric MF | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 135A (Tc) | 6V, 10V | 2.3mOhm @ 81A, 10V | 3.9V @ 100µA | 81 nC @ 10 V | ±20V | 3913 pF @ 25 V | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MF |
|
SPA20N65C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.7A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 13.1A, 10V | 3.9V @ 1mA | 114 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 25 V | - | 34.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-31 |
|
|
SPA20N60CFDXKSA1MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20.7A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 13.1A, 10V | 5V @ 1mA | 124 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 25 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-31 |
|
IRLL3303TRMOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 4.6A (Ta) | 4.5V, 10V | 31mOhm @ 4.6A, 10V | 1V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±16V | 840 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
|
IPB60R520CPATMA1MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CP | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6.8A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 3.8A, 10V | 3.5V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 630 pF @ 100 V | - | 66W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
BTS282Z E3230MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
TEMPFET® | TO-220-7 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 49 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 36A, 10V | 2V @ 240µA | 232 nC @ 10 V | ±20V | 4800 pF @ 25 V | Temperature Sensing Diode | 300W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | P-TO220-7-230 |
|
|
IRFI4121H-117PMOSFET N-CH 100V 11A TO220-5 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | 11A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
IRFSL4410MOSFET N-CH 100V 96A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 96A (Tc) | 10V | 10mOhm @ 58A, 10V | 4V @ 150µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5150 pF @ 50 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
BSC017N04NSGATMA1MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 30A (Ta), 100A (Tc) | 10V | 1.7mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 85µA | 108 nC @ 10 V | ±20V | 8800 pF @ 20 V | - | 2.5W (Ta), 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
