БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL1404LPBFMOSFET N-CH 40V 160A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | 4.3V, 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 3V @ 250µA | 140 nC @ 5 V | ±20V | 6600 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
IPB06CN10N GMOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 100A (Tc) | 10V | 6.2mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 180µA | 139 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 50 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
IPP037N08N3GE8181XKSA1MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 100A (Tc) | 6V, 10V | 3.75mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 155µA | 117 nC @ 10 V | ±20V | 8110 pF @ 40 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IRFS5620TRLPBFMOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 24A (Tc) | 10V | 77.5mOhm @ 15A, 10V | 5V @ 100µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1710 pF @ 50 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IPD65R380C6BTMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10.6A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 3.2A, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 710 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IRFH8202TRPBFMOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 47A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.05mOhm @ 50A, 10V | 2.35V @ 150µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 7174 pF @ 13 V | - | 3.6W (Ta), 160W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
|
SPP100N08S2-07MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.1mOhm @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 6020 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
SPP100N08S2L-07MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 100A (Tc) | 10V | 6.8mOhm @ 68A, 10V | 2V @ 250µA | 246 nC @ 10 V | ±20V | 7130 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
SPP100N03S203MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 100A (Tc) | 10V | 3.3mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 7020 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IRLR7833TRPBFMOSFET N-CH 30V 140A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4010 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
