БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR7833TRMOSFET N-CH 30V 140A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4010 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7833TRLMOSFET N-CH 30V 140A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4010 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7833TRRMOSFET N-CH 30V 140A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4010 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7843TRMOSFET N-CH 30V 161A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 161A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.3mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4380 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 155°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRFZ34NSMOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 29A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRLR3705ZMOSFET N-CH 55V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 42A, 10V | 3V @ 250µA | 66 nC @ 5 V | ±16V | 2900 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRF7470TRPBFMOSFET N-CH 40V 10A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 10A (Ta) | 2.8V, 10V | 13mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 44 nC @ 4.5 V | ±12V | 3430 pF @ 20 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7805ATRPBFMOSFET N-CH 30V 13A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta) | 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 5 V | ±12V | - | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
BSO4410TMOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11.1A (Ta) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 11.1A, 10V | 2V @ 42µA | 21 nC @ 5 V | ±20V | 1280 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRFR3504TRPBFMOSFET N-CH 40V 30A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 30A (Tc) | 10V | 9.2mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 71 nC @ 10 V | ±20V | 2150 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
