БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7831TRMOSFET N-CH 30V 21A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 21A (Ta) | 4.5V, 10V | 3.6mOhm @ 20A, 10V | 2.35V @ 250µA | 60 nC @ 4.5 V | ±12V | 6240 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRL540NSTRRMOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 36A (Tc) | 4V, 10V | 44mOhm @ 18A, 10V | 2V @ 250µA | 74 nC @ 5 V | ±16V | 1800 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRF7805AMOSFET N-CH 30V 13A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta) | 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 5 V | ±12V | - | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
94-4582MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 31A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRF7809ATRMOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14.5A (Ta) | 4.5V | 8.5mOhm @ 15A, 4.5V | 1V @ 250µA | 75 nC @ 5 V | ±12V | 7300 pF @ 16 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRFR3103TRLMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 1.7A (Ta) | 10V | 3.6Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3103TRMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 1.7A (Ta) | 10V | 3.6Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3103TRRMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 1.7A (Ta) | 10V | 3.6Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 170 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRF7807VD2TRPBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 8.3A (Ta) | 4.5V | 25mOhm @ 7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 14 nC @ 4.5 V | ±20V | - | Schottky Diode (Isolated) | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF540NSTRRPBFMOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A (Tc) | 10V | 44mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 71 nC @ 10 V | ±20V | 1960 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
