БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7811ATRPBFMOSFET N-CH 28V 11A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 28 V | 11A (Ta) | 4.5V | 10mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 26 nC @ 4.5 V | ±12V | 1760 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7484TRPBFMOSFET N-CH 40V 14A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 14A (Ta) | 7V | 10mOhm @ 14A, 7V | 2V @ 250µA | 100 nC @ 7 V | ±8V | 3520 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IPP80N03S4L03AKSA1MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.7mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 90µA | 140 nC @ 10 V | ±16V | 9750 pF @ 25 V | - | 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IRF3711ZCSTRRMOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 92A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 2.45V @ 250µA | 24 nC @ 4.5 V | ±20V | 2150 pF @ 10 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRF3711ZSTRLMOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 92A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 2.45V @ 250µA | 24 nC @ 4.5 V | ±20V | 2150 pF @ 10 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRFR3707MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 61A (Tc) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 19 nC @ 4.5 V | ±20V | 1990 pF @ 15 V | - | 87W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3709ZTRPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 86A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 26 nC @ 4.5 V | ±20V | 2330 pF @ 15 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR024NTRLPBFMOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 370 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
|
IRFR3709ZTRLPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 86A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 26 nC @ 4.5 V | ±20V | 2330 pF @ 15 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IPP08CN10L GMOSFET N-CH 100V 98A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 98A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 98A, 10V | 2.4V @ 130µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 8610 pF @ 50 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
