БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPD04P10PGBTMA1MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 4A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 2.8A, 10V | 4V @ 380µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 319 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IRL6342TRPBFMOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.9A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 11 nC @ 4.5 V | ±12V | 1025 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IPD65R1K4CFDBTMA1MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 2.8A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 1A, 10V | 4.5V @ 100µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 262 pF @ 100 V | - | 28.4W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
BSZ0905PNSATMA1MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40A (Tc) | 6V, 10V | 8.6mOhm @ 20A, 10V | 1.9V @ 105µA | 43.2 nC @ 10 V | ±25V | 3190 pF @ 15 V | - | 69W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8 |
|
IRFB4620PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 25A (Tc) | 10V | 72.5mOhm @ 15A, 10V | 5V @ 100µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1710 pF @ 50 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-904 |
|
IPA65R380C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10.6A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 3.2A, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 710 pF @ 100 V | - | 31W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
|
IPB80P04P4L08ATMA1MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.9mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 120µA | 92 nC @ 10 V | ±16V | 5430 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IRLZ44NLPBFMOSFET N-CH 55V 47A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 47A (Tc) | 4V, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 2V @ 250µA | 48 nC @ 5 V | ±16V | 1700 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
IRFR1205TRLMOSFET N-CH 55V 44A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 44A (Tc) | 10V | 27mOhm @ 26A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR1205TRRMOSFET N-CH 55V 44A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 44A (Tc) | 10V | 27mOhm @ 26A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
