БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR2405TRRPBFMOSFET N-CH 55V 56A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 56A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2430 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IPD06P003NSAUMA1MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 22A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 1.04mA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 30 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
|
IPC80N04S403ATMA1MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 10V | 3.3mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 60µA | 71 nC @ 10 V | ±20V | 5720 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-23 |
|
|
IRFB4019PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 17A (Tc) | 10V | 95mOhm @ 10A, 10V | 4.9V @ 50µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 800 pF @ 50 V | - | 80W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
BSC119N03S GMOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11.9A (Ta), 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 11.9mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 20µA | 11 nC @ 5 V | ±20V | 1370 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
|
|
IRFR120NCPBFMOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 9.4A (Ta) | 10V | 210mOhm @ 5.6A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 330 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
BSC042N03STMOSFET N-CH 30V 20A/50A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 20A (Ta), 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.2mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 50µA | 28 nC @ 5 V | ±20V | 3660 pF @ 15 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-5 |
|
IRLMS6702TRPBFMOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | SOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.4A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 8.8 nC @ 4.5 V | ±12V | 210 pF @ 15 V | - | 1.7W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro6™(TSOP-6) |
|
SI3443DVTRPBFMOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.4A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 65mOhm @ 4.4A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | ±12V | 1079 pF @ 10 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro6™(TSOP-6) |
|
BSP149 E6906MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 660mA (Ta) | 0V, 10V | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | 1V @ 400µA | 14 nC @ 5 V | ±20V | 430 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
