БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3307PBFMOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Infineon Technologies |
299 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 130A (Tc) | 10V | 6.3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5150 pF @ 50 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
IQE065N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-TSON-8 Infineon Technologies |
22,345 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 14A (Ta), 85A (Tc) | 6V, 10V | 6.5mOhm @ 20A, 10V | 3.8V @ 48µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 50 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-8-4 |
|
IPL65R230C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON Infineon Technologies |
11,054 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ C7 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10A (Tc) | 10V | 230mOhm @ 2.4A, 10V | 4V @ 240µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 996 pF @ 400 V | - | 67W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
IRFS7437TRL7PPMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies |
1,602 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 1.4mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 150µA | 225 nC @ 10 V | ±20V | 7437 pF @ 25 V | - | 231W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
IPD60R180C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3 Infineon Technologies |
1,694 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ C7 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 5.3A, 10V | 4V @ 260µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1080 pF @ 400 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IRF8010STRLPBFMOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Infineon Technologies |
2,650 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 80A (Tc) | 10V | 15mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 3830 pF @ 25 V | - | 260W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRF1404STRLPBFMOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Infineon Technologies |
1,711 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 162A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 4V @ 250µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 7360 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IPA80R360P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 Infineon Technologies |
310 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 13A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 5.6A, 10V | 3.5V @ 280µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 930 pF @ 500 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
|
IPP013N04NF2SAKMA1TRENCH PG-TO220-3 Infineon Technologies |
846 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
IPA029N06NM5SXKSA1MOSFET N-CH 60V 87A TO220 Infineon Technologies |
255 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 87A (Tc) | 6V, 10V | 2.9mOhm @ 87A, 10V | 3.3V @ 36µA | 74 nC @ 10 V | ±20V | 5300 pF @ 30 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220 Full Pack |
