БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP615S2LMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 2.8A (Ta) | 4.5V, 10V | 90mOhm @ 1.4A, 10V | 2V @ 12µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 330 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
|
BSS123L6327HTSA1MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 170mA (Ta) | 4.5V, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 1.8V @ 50µA | 2.67 nC @ 10 V | ±20V | 69 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
|
|
BSS123L6433HTMA1MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 170mA (Ta) | 4.5V, 10V | 6Ohm @ 170mA, 10V | 1.8V @ 50µA | 2.67 nC @ 10 V | ±20V | 69 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
|
IPU80R3K3P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 1.9A (Tc) | 10V | 3.3Ohm @ 590mA, 10V | 3.5V @ 30µA | 5.8 nC @ 10 V | ±20V | 120 pF @ 500 V | - | 18W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
|
|
BSP297 E6327MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 660mA (Ta) | 4.5V, 10V | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | 1.8V @ 400µA | 16.1 nC @ 10 V | ±20V | 357 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
|
IRF7534D1PBFMOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.3A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 55mOhm @ 4.3A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 15 nC @ 5 V | ±12V | 1066 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.25W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro8™ |
|
BSS87E6327MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-243AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 260mA (Ta) | 4.5V, 10V | 6Ohm @ 260mA, 10V | 1.8V @ 108µA | 5.5 nC @ 10 V | ±20V | 97 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT89-4-2 |
|
IRFR3911TRLPBFMOSFET N-CH 100V 14A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 14A (Tc) | 10V | 115mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF @ 25 V | - | 56W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IPD06P005NATMA1MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 6.5A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 270µA | 10.6 nC @ 10 V | ±20V | 420 pF @ 30 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
ISZ062N06NM6ATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
