БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP320S E6433MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.9A (Ta) | 10V | 120mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 20µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
|
BSS126L6906HTSA1MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 21mA (Ta) | 0V, 10V | 500Ohm @ 16mA, 10V | 2.7V @ 8µA | 2.1 nC @ 5 V | ±20V | 28 pF @ 25 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
|
IPSA70R2K0P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 3A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 500mA, 10V | 3.5V @ 30µA | 3.8 nC @ 400 V | ±16V | 130 pF @ 400 V | - | 17.6W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-347 |
|
IPC028N03L3X1SA1MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 3 | Die | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | - | 10V | 50mOhm @ 2A, 10V | 2.2V @ 250µA | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Sawn on foil |
|
|
BSS159NL6906HTSA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 230mA (Ta) | 0V, 10V | 3.5Ohm @ 160mA, 10V | 2.4V @ 26µA | 2.9 nC @ 5 V | ±20V | 44 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
|
IPD090N03LGBTMA1MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 15 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
|
BSS139L6906HTSA1MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 100mA (Ta) | 0V, 10V | 14Ohm @ 0.1mA, 10V | 1V @ 56µA | 3.5 nC @ 5 V | ±20V | 76 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT23 |
|
IRF7524D1PBFMOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.7A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 8.2 nC @ 4.5 V | ±12V | 240 pF @ 15 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.25W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro8™ |
|
|
IPD15N06S2L64ATMA1MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 19A (Tc) | 4.5V, 10V | 64mOhm @ 13A, 10V | 2V @ 14µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 354 pF @ 25 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
IPS60R1K5CEAKMA1CONSUMER Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CE | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1.1A, 10V | 3.5V @ 90µA | 9.4 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 100 V | - | 49W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
