БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPDQ60T017S7AXTMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS Infineon Technologies |
100 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
IPQC60T017S7AXTMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS Infineon Technologies |
100 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
AIMCQ120R030M1TXTMA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
63 | - |
|
- |
CoolSiC™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 78A (Tc) | 18V, 20V | 38mOhm @ 27A, 20V | 5.1V @ 8.6mA | 57 nC @ 20 V | +25V, -10V | 1738 pF @ 800 V | - | 417W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-HDSOP-22 |
|
|
AIMZHN120R020M1TXKSA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
30 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 100A (Tc) | 18V, 20V | 25mOhm @ 43A, 20V | 5.1V @ 13.7mA | 82 nC @ 20 V | +23V, -5V | 2667 pF @ 800 V | - | 429W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-4-14 |
|
|
IDYH50G200C5XKSA1SIC DISCRETE Infineon Technologies |
75 | - |
|
- |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FF100R12W1T7EB11BPSA1EASY STANDARD Infineon Technologies |
24 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FF6MR12W2M1HB70BPSA1LOW POWER EASY Infineon Technologies |
10 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FF4MR12W2M1HB70BPSA1LOW POWER EASY Infineon Technologies |
13 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FF1700XTR17IE5DBPSA1PP IHM I Infineon Technologies |
2 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
BSD316SNL6327XTMOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Infineon Technologies |
482 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.4A (Ta) | 4.5V, 10V | 160mOhm @ 1.4A, 10V | 2V @ 3.7µA | 0.6 nC @ 5 V | ±20V | 94 pF @ 15 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT363-PO |
