БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6716MTRPBFIRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW Infineon Technologies |
26,497 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 39A (Ta), 180A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.6mOhm @ 40A, 10V | 2.4V @ 100µA | 59 nC @ 4.5 V | ±20V | 5150 pF @ 13 V | - | 3.6W (Ta), 78W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
SPI11N60C3XKSA1SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN Infineon Technologies |
2,500 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | 3.9V @ 500µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
AUIRL3705NAUIRL3705 - 55V-60V N-CHANNEL AU Infineon Technologies |
600 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 89A (Tc) | - | 10mOhm @ 46A, 10V | 2V @ 250µA | 98 nC @ 5 V | - | 3600 pF @ 25 V | - | 170W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
AUIRL1404ZSAUIRL1404ZS - 20V-40V N-CHANNEL Infineon Technologies |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.1mOhm @ 75A, 10V | 2.7V @ 250µA | 110 nC @ 5 V | ±16V | 5080 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IPI60R250CPCOOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
474 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 12A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 7.8A, 10V | 3.5V @ 520µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262 |
|
BSC0588NSIATMA1BSC0588- N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
215,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
IPI65R190C6XKSA1IPI65R190C6 - 650V-700V COOLMOS Infineon Technologies |
999 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.2A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 3.5V @ 730µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1620 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
|
AUIRF4905LAUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A Infineon Technologies |
1,077 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | 10V | 20mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 3500 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
SPA21N50C3XKSA1HIGH POWER_LEGACY Infineon Technologies |
1,520 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 560 V | 21A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 13.1A, 10V | 3.9V @ 1mA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 25 V | - | 34.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-31 |
|
AUIRFP1405AUIRFP1405 - 55V-60V N-CHANNEL A Infineon Technologies |
800 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 95A (Tc) | 10V | 5.3mOhm @ 95A, 10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5600 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
