БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BTS244ZE3062AATMA2MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5 Infineon Technologies |
5 | - |
|
Таблицы данных |
TEMPFET® | TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 19A, 10V | 2V @ 130µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 2660 pF @ 25 V | Temperature Sensing Diode | 170W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-5-2 |
|
IPB083N15N5LFATMA1MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Infineon Technologies |
955 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 105A (Tc) | 10V | 8.3mOhm @ 100A, 10V | 4.9V @ 134µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 210 pF @ 75 V | - | 179W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
IPZ60R041P6FKSA1MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P6 | TO-247-4 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 77.5A (Tc) | 10V | 41mOhm @ 35.5A, 10V | 4.5V @ 2.96mA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 8180 pF @ 100 V | - | 481W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4 |
|
IGLR60R190D1XUMA1GAN HV Infineon Technologies |
4,065 | - |
|
Таблицы данных |
CoolGaN™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 12.8A (Tc) | - | - | 1.6V @ 960µA | - | -10V | 157 pF @ 400 V | - | 55.5W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-8-6 |
|
|
IPP018N10N5AKSA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
460 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | TO-220-3 | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A (Ta), 205A (Tc) | 6V, 10V | 1.83mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 270µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 16000 pF @ 50 V | - | 3.8W (Ta), 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IPZ65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4 Infineon Technologies |
220 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ C7 | TO-247-4 | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 24A (Tc) | 10V | 95mOhm @ 11.8A, 10V | 4V @ 590µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 2140 pF @ 400 V | - | 128W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4 |
|
|
IPT014N10N5ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
901 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 362A | 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-1 |
|
BTS131E3045ANTMA1N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
8,919 | - |
|
Таблицы данных |
TEMPFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 50 V | 25A (Tc) | 4.5V | 60mOhm @ 12A, 4.5V | 2.5V @ 1mA | - | ±10V | 1400 pF @ 25 V | - | 75W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
AUIRFS3107TRLMOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Infineon Technologies |
1,661 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 195A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 140A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9370 pF @ 50 V | - | 370W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRFSL8407MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 150µA | 225 nC @ 10 V | ±20V | 7330 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
