БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP80N04S4L04AKSA1MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.3mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 35µA | 60 nC @ 10 V | +20V, -16V | 4690 pF @ 25 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
SPI16N50C3N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
300 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 16A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 10A, 10V | 3.9V @ 675µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 25 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
BSP320SH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Infineon Technologies |
904 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS™ | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.9A (Tj) | 10V | 120mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 20µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
|
SPD02N60S5BTMA1MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.8A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 1.1A, 10V | 5.5V @ 80µA | 9.5 nC @ 10 V | ±20V | 240 pF @ 25 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
IRL1404PBF-INFMOSFET N-CH 40V 160A TO220AB Infineon Technologies |
879 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | - | 4mOhm @ 95A, 10V | 3V @ 250µA | 140 nC @ 5 V | ±20V | 6590 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
IPP65R420CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 340µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 83.3W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IPB080N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF @ 15 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
IPI65R280C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 13.8A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 440µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 950 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
|
|
SPI11N60S5N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
368 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | 5.5V @ 500µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 1460 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
|
AUIRFR8405MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 1.98mOhm @ 90A, 10V | 3.9V @ 100µA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 5171 pF @ 25 V | - | 163W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
