БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP80N06S207AKSA1MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 10V | 6.6mOhm @ 68A, 10V | 4V @ 180µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 3400 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
AUIRF9Z34N-INFAUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL Infineon Technologies |
1,317 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 19A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 620 pF @ 25 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220AB |
|
IPB60R520CPN-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
2,996 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6.8A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 3.8A, 10V | 3.5V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 630 pF @ 100 V | - | 66W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
|
IPP084N06L3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.4mOhm @ 50A, 10V | 2.2V @ 34µA | 29 nC @ 4.5 V | ±20V | 4900 pF @ 30 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IPU80R1K0CEAKMA1MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CE | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 5.7A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 3.6A, 10V | 3.9V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 785 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-341 |
|
|
IPP80N06S4L05AKSA1MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.1mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 60µA | 110 nC @ 10 V | ±16V | 8180 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
BSC029N025SGN-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
4,999 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.9mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 80µA | 41 nC @ 5 V | ±20V | 5090 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
|
|
IPP120N06S403AKSA1MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 3.2mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 120µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 13150 pF @ 25 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IPA126N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 35A (Tc) | 6V, 10V | 12.6mOhm @ 35A, 10V | 3.5V @ 45µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF @ 50 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220 Full Pack |
|
|
IPP80N06S4L07AKSA2MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.7mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 40µA | 75 nC @ 10 V | ±16V | 5680 pF @ 25 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
