БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSZ0901NSATMA1MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON Infineon Technologies |
3,456 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 22A (Ta), 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 2mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 2850 pF @ 15 V | - | 2.1W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSDSON-8 |
|
IRFR2405TRLPBFMOSFET N-CH 55V 56A DPAK Infineon Technologies |
3,334 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 56A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2430 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
BSC0901NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON Infineon Technologies |
556 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 28A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 2mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 20 nC @ 15 V | ±20V | 2600 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-6 |
|
|
SPD03N60C3ATMA1MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 Infineon Technologies |
17,260 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.2A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 2A, 10V | 3.9V @ 135µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 400 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
ISC011N03L5SATMA1MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON Infineon Technologies |
15,000 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 37A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.1mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 4700 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
|
|
IPD60N10S412ATMA1MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 Infineon Technologies |
5,719 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 60A (Tc) | 10V | 12.2mOhm @ 60A, 10V | 3.5V @ 46µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 2470 pF @ 25 V | - | 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
|
|
IPD30N06S215ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Infineon Technologies |
6,559 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 30A (Tc) | 10V | 14.7mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 80µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 1485 pF @ 25 V | - | 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
BSZ084N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Infineon Technologies |
34,017 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 40A (Tc) | 6V, 10V | 8.4mOhm @ 20A, 10V | 3.8V @ 31µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 1820 pF @ 40 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSDSON-8-FL |
|
|
IPD80R750P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 Infineon Technologies |
4,134 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 7A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 2.7A, 10V | 3.5V @ 140µA | 17 nC @ 10 V | ±20V | 460 pF @ 500 V | - | 51W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
|
IPD60R280PFD7SAUMA1MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Infineon Technologies |
2,879 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ PFD7 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 12A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 3.6A, 10V | 4.5V @ 180µA | 15.3 nC @ 10 V | ±20V | 656 pF @ 400 V | - | 51W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-344 |
