制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7638-GATRANS SJT 650V 8A TO276 GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-276AA | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 8A (Tc) (158°C) | - | 170mOhm @ 8A | - | - | - | 720 pF @ 35 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-276 |
|
2N7637-GATRANS SJT 650V 7A TO257 GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
|
- |
- | TO-257-3 | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 7A (Tc) (165°C) | - | 170mOhm @ 7A | - | - | - | 720 pF @ 35 V | - | 80W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-257 |
![]() |
GA100JT17-227TRANS SJT 1700V 160A SOT227 GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
|
- |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1700 V | 160A (Tc) | - | 10mOhm @ 100A | - | - | - | 14400 pF @ 800 V | - | 535W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
![]() |
2N7640-GATRANS SJT 650V 16A TO276 GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
|
- |
- | TO-276AA | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 16A (Tc) (155°C) | - | 105mOhm @ 16A | - | - | - | 1534 pF @ 35 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-276 |
![]() |
2N7639-GATRANS SJT 650V 15A TO257 GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-257-3 | Bulk | Obsolete | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 15A (Tc) (155°C) | - | 105mOhm @ 15A | - | - | - | 1534 pF @ 35 V | - | 172W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-257 |
![]() |
GA50JT06-258TRANS SJT 600V 100A TO258 GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-258-3, TO-258AA | Bulk | Active | - | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 600 V | 100A (Tc) | - | 25mOhm @ 50A | - | - | - | - | - | 769W (Tc) | -55°C ~ 225°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-258 |