FET, массивы MOSFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NTLJD3181PZTAG

    NTLJD3181PZTAG

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

    onsemi

    0
    RFQ
    NTLJD3181PZTAG

    Таблицы данных

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.2A 100mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 7.8nC @ 4.5V 450pF @ 10V 710mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    NTUD3171PZT5G

    NTUD3171PZT5G

    MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT963

    onsemi

    0
    RFQ
    NTUD3171PZT5G

    Таблицы данных

    - SOT-963 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 200mA 5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA - 13.5pF @ 15V 125mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-963
    EMH2411R-TL-H

    EMH2411R-TL-H

    MOSFET 2N-CH 30V 5A 8EMH

    onsemi

    0
    RFQ

    -

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 30V 5A 36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V - 5.9nC @ 4.5V - 1.4W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-EMH
    EMH2407-S-TL-H

    EMH2407-S-TL-H

    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8EMH

    onsemi

    12,000
    RFQ

    -

    - 8-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - Surface Mount 8-EMH
    VEC2303-TL-E

    VEC2303-TL-E

    PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    9,000
    RFQ
    VEC2303-TL-E

    Таблицы данных

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FW344A-TL-2W

    FW344A-TL-2W

    MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOIC

    onsemi

    0
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 30V 4.5A, 3.5A 64mOhm @ 4.5A, 10V - 5.6nC @ 10V 280pF @ 10V 1.7W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    VEC2307-TL-E

    VEC2307-TL-E

    PCH+PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    30,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLJD2104PTAG

    NTLJD2104PTAG

    MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

    onsemi

    0
    RFQ
    NTLJD2104PTAG

    Таблицы данных

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 2.4A 90mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 467pF @ 6V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    NTLJD2104PTBG

    NTLJD2104PTBG

    MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

    onsemi

    0
    RFQ
    NTLJD2104PTBG

    Таблицы данных

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 2.4A 90mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 467pF @ 6V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    NTMC1300R2

    NTMC1300R2

    MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC

    onsemi

    0
    RFQ
    NTMC1300R2

    Таблицы данных

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.2A, 1.8A 90mOhm @ 3A, 10V 2.2V @ 250µA 5nC @ 4.5V 300pF @ 20V 2W -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    Общий 962 Записывать«Предыдущая1... 3233343536373839...97Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ