FET, массивы MOSFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF9362PBF

    IRF9362PBF

    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF9362PBF

    Таблицы данных

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 21mOhm @ 8A, 10V 2.4V @ 25µA 39nC @ 10V 1300pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8910GPBF

    IRF8910GPBF

    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF8910GPBF

    Таблицы данных

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 10A 13.4mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 960pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFH7911TRPBF

    IRFH7911TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRFH7911TRPBF

    Таблицы данных

    HEXFET® 18-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 13A, 28A 8.6mOhm @ 12A, 10V 2.35V @ 25µA 12nC @ 4.5V 1060pF @ 15V 2.4W, 3.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    AUIRF7343Q

    AUIRF7343Q

    MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    AUIRF7343Q

    Таблицы данных

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 55V 4.7A, 3.4A 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF9358PBF

    IRF9358PBF

    MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF9358PBF

    Таблицы данных

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9.2A 16.3mOhm @ 9.2A, 10V 2.4V @ 25µA 38nC @ 10V 1740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9395MTR1PBF

    IRF9395MTR1PBF

    MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF9395MTR1PBF

    Таблицы данных

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MC Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 14A 7mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 50µA 64nC @ 10V 3241pF @ 15V 2.1W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MC
    IRF9395MTRPBF

    IRF9395MTRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRF9395MTRPBF

    Таблицы данных

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MC Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 14A 7mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 50µA 64nC @ 10V 3241pF @ 15V 2.1W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MC
    IRL6372PBF

    IRL6372PBF

    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRL6372PBF

    Таблицы данных

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8.1A 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V 1.1V @ 10µA 11nC @ 4.5V 1020pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BSL308CL6327HTSA1

    BSL308CL6327HTSA1

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSL308CL6327HTSA1

    Таблицы данных

    OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.3A, 2A 80mOhm @ 2A, 10V 2V @ 11µA 500nC @ 10V 275pF @ 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    IRFHM792TRPBF

    IRFHM792TRPBF

    MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    IRFHM792TRPBF

    Таблицы данных

    HEXFET® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 2.3A 195mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 10µA 6.3nC @ 10V 251pF @ 25V 2.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
    Общий 496 Записывать«Предыдущая1... 3940414243444546...50Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ