FET, массивы MOSFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FF11MR12W1M1PB11BPSA1

    FF11MR12W1M1PB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    53
    RFQ
    FF11MR12W1M1PB11BPSA1

    Таблицы данных

    EasyDUAL™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 100A (Tj) 11.3mOhm @ 100A, 15V 5.55V @ 40mA 248nC @ 15V 7360pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B-2
    FF6MR12KM1BOSA1

    FF6MR12KM1BOSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    FF6MR12KM1BOSA1

    Таблицы данных

    CoolSiC™ Module Bulk Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 5.81mOhm @ 250A, 15V 5.15V @ 80mA 496nC @ 15V 14700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MM
    BSO4804HUMA2

    BSO4804HUMA2

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSO4804HUMA2

    Таблицы данных

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A (Ta) 20mOhm @ 8A, 10V 2V @ 30µA 17nC @ 5V 870pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRF6802SDTRPBF

    IRF6802SDTRPBF

    IRF6802 - 12V-300V N-CHANNEL POW

    Infineon Technologies

    4,800
    RFQ
    IRF6802SDTRPBF

    Таблицы данных

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FD1400R12IP4DBOSA1

    FD1400R12IP4DBOSA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    76
    RFQ
    FD1400R12IP4DBOSA1

    Таблицы данных

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

    FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2

    Infineon Technologies

    8
    RFQ
    FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

    Таблицы данных

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 150A (Tj) 9.8mOhm @ 150A, 15V 5.55V @ 90mA 450nC @ 15V 16000pF @ 600V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1BM-2
    FF2MR12KM1HPHPSA1

    FF2MR12KM1HPHPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V AG-62MMHB

    Infineon Technologies

    8
    RFQ
    FF2MR12KM1HPHPSA1

    Таблицы данных

    CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 500A (Tc) 2.13mOhm @ 500A, 15V 5.15V @ 224mA 1340nC @ 15V 39700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    FF4MR20KM1HHPSA1

    FF4MR20KM1HHPSA1

    MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB

    Infineon Technologies

    11
    RFQ
    FF4MR20KM1HHPSA1

    Таблицы данных

    C Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 2000V (2kV) 280A (Tc) 5.3mOhm @ 300A, 18V 5.15V @ 168mA 1170nC @ 18V 36100pF @ 1.2kV - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MMHB
    FS05MR12A6MA1BBPSA1

    FS05MR12A6MA1BBPSA1

    MOSFET 1200V 200A AG-HYBRIDD

    Infineon Technologies

    9
    RFQ
    FS05MR12A6MA1BBPSA1

    Таблицы данных

    HybridPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) - - 1200V (1.2kV) 200A - - - - - - - - Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
    FS03MR12A6MA1BBPSA1

    FS03MR12A6MA1BBPSA1

    MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

    Infineon Technologies

    7
    RFQ
    FS03MR12A6MA1BBPSA1

    Таблицы данных

    HybridPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tj) 3.7mOhm @ 400A, 15V 5.55V @ 240mA 1320nC @ 15V 42500pF @ 600V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
    Общий 496 Записывать«Предыдущая1... 1112131415161718...50Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ