Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип диода | Технология | Напряжение - Пиковое обратное (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Ток - Обратный утечка @ Vr | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BR102BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-Square, BR-10 | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 200 V | 10 A | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | BR-10 |
![]() |
BR106BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-Square, BR-10 | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 600 V | 10 A | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | BR-10 |
![]() |
BR108BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-Square, BR-10 | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 800 V | 10 A | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 800 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | BR-10 |
![]() |
GBJ25KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-SIP, GBJ | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 800 V | 25 A | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | GBJ |
![]() |
GBJ25BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-SIP, GBJ | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 100 V | 25 A | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | GBJ |
![]() |
GBJ25JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJ GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-SIP, GBJ | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 600 V | 25 A | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | GBJ |
![]() |
GBJ25GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-SIP, GBJ | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 400 V | 25 A | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | GBJ |
![]() |
GBJ25DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-SIP, GBJ | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 200 V | 25 A | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | GBJ |
![]() |
GBJ25MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-SIP, GBJ | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 1 kV | 25 A | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | GBJ |
![]() |
GBJ30DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 30A GBJ GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | 4-SIP, GBJ | Bulk | Active | Single Phase | Standard | 200 V | 30 A | 1.05 V @ 15 A | 5 µA @ 200 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | GBJ |